在漫威电影宇宙中，钢铁侠的 AI 管家贾维斯，能理解复杂指令、实时提供各类信息、辅助战甲高效运行，为观众描绘出强大的 AI 应用场景。如今，随着移动 HBM 技术的发展，我们的手机也在迈向具备类似强大 AI 能力的设备。那么，从移动 HBM 到「贾维斯」般的智能体验，我们还有多少距离？移动HBM，到底是什么？在深入探讨移动 HBM 之前，先来了解一下传统内存技术在移动设备中的局限性。以智能手机为例，随着 AI 摄影、AI 语音助手等功能的普及，手机需要在短时间内处理大量的数据。在拍摄一张 AI
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HBM
据全球咨询公司麦肯锡7月20日发布的报告显示，包括英伟达、台积电、博通等在内的半导体行业前5%（按年销售额计算）的公司，包揽了2024年该行业创造的全部利润。前5%的半导体公司获得的经济利润高达1590亿美元，而中间90%的公司利润仅为50亿美元，排名后5%的公司实际亏损370亿美元。实际上，前5%的半导体公司获得的成绩单超过整个半导体市场创造的经济利润（1470亿美元）。这一市场转变仅用了2~3年时间。在新冠疫情期间（2021-2022年），中间90%的企业每年获得的经济利润超过300亿美元。换算成每家
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半导体 英伟达 台积电 博通 AI 三星 HBM
美光 宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试，包括极端温度循环、缺陷筛选和动态老化。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证，确保其在高辐射环境中的可靠性。这
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美光 内存 NAND
根据 ZDNet 在 25 日的报道，引用行业消息人士称，全球领先的半导体后端设备制造商预计将在 2025 年下半年扩大其 HBM 混合键合业务。BESI 预计 2025 年下半年混合键合订单将增长7 月 24 日，荷兰设备制造商 BESI 在其 2025 年第二季度财报中表示，预计第三季度将表现强劲，先进封装设备订单（包括混合键合系统）将增加。该公司指出，混合键合工具的需求预计在 2025 年下半年将显著增长——与上半年相比，也与 2024 年同期相比——因为客户
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HBM 三星 存储
(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
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长江存储 NAND 内存
随着英伟达以及 Meta、谷歌等云巨头加大 AI 投入，推动 HBM 需求增长，分析师警告明年可能面临价格下跌。据高盛称，经济日报报道，竞争加剧和供过于求可能导致 2026 年首次出现 HBM 价格下跌——这对市场领导者 SK hynix 构成挑战。值得注意的是，据高盛称，2026 年 HBM 价格可能下跌两位数。此外，竞争加剧以及定价权向主要客户转移（SK hynix 受影响严重）可能挤压该公司的利润空间，高盛警告称。根据高盛的预测，HBM 价格下降的趋势可能归因于主要参与者 HBM 比特供应的显著增加
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HBM 内存 海力士
随着主要内存制造商将产能转向 DDR5 和 HBM，他们的 DDR4 淘汰时间表逐渐清晰。根据商业时报的报道，三星、SK 海力士和美光计划在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出货。TrendForce 的最新调查也显示，三大 DRAM 供应商正在将产能转向高端产品，并已开始宣布 PC 和服务器级 DDR4 以及移动 LPDDR4X 的停产计划。因此，预计 2025 年第三季度的传统 DRAM 合同价格将上涨 10%至 15%。包括 HBM 在内，整体 DRAM 价格预计将上涨 15%至 2
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存储 DDR4 HBM
Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半导体业务表现不佳，该业务占整体利润的 50-60%。由于持续的技术问题，高带宽内存（HBM）和其他高容量、高附加值内存产品未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域获益。代工（合同芯片制造）和系统 LSI 业务也因未能争取到主要客户而继续亏损。然而，随着 Nvidia 的 HBM 大规模生产批准的可能性在第三季度增加，以及上半年积累的内存库存得到清理，人们对业绩反弹的预期正在增长。根据行业消息，7 月 8 日三星电子的设备解决方案（DS）部
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三星电子 HBM.半导体产业
三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期，引发了对其高带宽内存 （HBM） 业务失败的担忧，这被视为这一缺口背后的最大原因，以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩，而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。特别是，三星电子自第四代 HBM （HBM3） 以来，所有代 HBM 产品都未能取得显著成果，导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析，三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利
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三星电子 半导体 HBM
根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产能资源，加上中国国家补贴的减弱效应，导致现货市场低迷。详情如下：DRAM 现货价格：尽管过去一周现货价格略有下降，但这主要反映了之前 DDR4 芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4 消费级 DRAM 芯片的现货价格继续上涨，而 8Gb DDR4 等
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内存 DDR4 DRAM
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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AI 内存 台积电 三星 存储技术
随着第二季即将结束，多家内存原厂已展开第三季合约报价谈判。 原厂持续执行减产、并调整产品组合，市场供需变化牵动价格走势分歧，尤以高带宽记忆体（HBM）、LPDDR4X与DDR4等关键产品为观察重点。根据TrendForce调查，2025年DRAM整体位元产出将年增约25%，但若排除HBM产品，一般型DRAM位年增幅约20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原厂成长幅度仅15%，反映产能资源向HBM倾斜。HBM成为AI服务器核心零组件，供应持续吃紧，特别是HBM3e更面临严重短缺，推升报价动能。在一般型DR
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内存 供应链 TrendForce
美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下，美光公布了创纪录的收入，现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称，这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新闻稿中表示，它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此，该公司预计到 2025 年下半年，其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道，美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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